公司代碼：688525 公司簡稱：佰維存儲
深圳佰維存儲科技股份有限公司
(資料圖片)
第一節(jié) 重要提示
劃，投資者應當?shù)?ensp;www.sse.com.cn 網(wǎng)站仔細閱讀年度報告全文。
報告期內，公司不存在對生產經營產生實質性影響的特別重大風險，已在 2022 年年度報告中詳細
描述可能存在的相關風險，敬請查閱 2022 年年度報告第三節(jié)管理層討論與分析“四、風險因素”
部分內容。
完整性，不存在虛假記載、誤導性陳述或重大遺漏，并承擔個別和連帶的法律責任。
□是 √否
綜合考慮公司目前經營狀況以及未來發(fā)展需要，為保障公司生產經營的正常運行，增強抵御
風險的能力，實現(xiàn)公司持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，更好的維護全體股東的長遠利益，公司2022年度
擬不進行利潤分配，不派發(fā)現(xiàn)金股利，不送紅股，不以資本公積金轉增股本。以上利潤分配預案
已經公司第三屆董事會第七次會議審議通過，尚需公司2022年年度股東大會審議通過。
□適用 √不適用
第二節(jié) 公司基本情況
公司股票簡況
√適用 □不適用
公司股票簡況
股票種類 股票上市交易所及板塊 股票簡稱 股票代碼 變更前股票簡稱
A股 上海證券交易所科創(chuàng)板 佰維存儲 688525 不適用
公司存托憑證簡況
□適用 √不適用
聯(lián)系人和聯(lián)系方式
聯(lián)系人和聯(lián)系方式 董事會秘書（信息披露境內代表） 證券事務代表
姓名 黃炎烽 李帥鐸
辦公地址 廣東省深圳市南山區(qū)眾冠紅花嶺工業(yè) 廣東省深圳市南山區(qū)眾冠
區(qū)2區(qū)4棟3樓 紅花嶺工業(yè)區(qū)2區(qū)4棟3樓
電話 0755-27615701 0755-27615701
電子信箱 [email protected] [email protected]
(一) 主要業(yè)務、主要產品或服務情況
公司主要從事半導體存儲器的研發(fā)設計、封裝測試、生產和銷售，主要產品及服務包括嵌入
式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲及先進封測服務。公司緊緊圍繞半導體存儲器產業(yè)鏈，構筑了
研發(fā)封測一體化的經營模式，在存儲介質特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、
全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片 IC 設計、先進封測、芯片測試設備研發(fā)等
技術領域，是國家級專精特新小巨人企業(yè)、國家高新技術企業(yè)。公司產品可廣泛應用于移動智能
終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動存儲等領域。
萬物互聯(lián)時代，數(shù)據(jù)呈指數(shù)級增長，海量數(shù)據(jù)需要存儲，存儲形式也更加多元化。公司緊隨
存儲器大容量、大帶寬、低延時、低功耗、高安全、小尺寸等升級方向，在移動智能終端、PC、
行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動存儲等六大應用領域持續(xù)創(chuàng)新，打造了全系列、差異化的
產品體系及服務，主要包括嵌入式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲、先進封測服務四大板塊。
（1）嵌入式存儲
公司嵌入式存儲產品類型涵蓋 ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND
等，廣泛應用于手機、平板、智能穿戴、無人機、智能電視、筆記本電腦、智能車載、機頂盒、
智能工控、物聯(lián)網(wǎng)等領域。其中，公司車載嵌入式存儲產品的設計和生產達到車規(guī)標準。公司于
ePOP、eMCP 均為 NAND Flash 和 LPDDR 二合一的存儲器產品，其中 ePOP 廣泛應用于對芯片
尺寸、功耗有嚴苛要求的移動智能終端，尤其是智能手表、智能手環(huán)、VR 眼鏡等智能穿戴設備領
域，而 eMCP 則廣泛應用于智能手機、平板電腦等智能終端。
憑借存儲介質特性研究、自研固件算法、多芯片異構集成封裝工藝及自研芯片測試設備與測
試算法等核心技術優(yōu)勢，公司 ePOP、eMCP 產品具備小尺寸、低功耗、高可靠、高性能等優(yōu)勢，
其中，ePOP 系列產品最小尺寸僅為 8*9.5*0.79（mm）
，直接貼裝在 SoC 的上方，加強了信號傳輸，
節(jié)省了板載面積。
在市場方面，公司 ePOP 系列產品目前已被 Google、Facebook、小天才等知名企業(yè)應用于其
智能手表、VR 眼鏡等智能穿戴設備上；公司 eMCP 系列產品獲得智能手機、平板電腦客戶的廣泛
認可。
eMMC 是當前智能終端設備的主流閃存解決方案，在尺寸、成本等方面具有優(yōu)勢，占據(jù)較大
的市場空間。UFS 是 eMMC 的迭代產品，具有更高的存儲性能和傳輸速率，目前已成為中高端智
能手機的主流選擇。eMMC、UFS 廣泛應用于智能手機、平板電腦、車載電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、
機頂盒等領域。
公司 eMMC、UFS 產品采用自研低功耗固件、超薄 Die 封裝設計與工藝并通過完善的自動化
測試系統(tǒng)的嚴苛測試，具有小尺寸、低功耗、高性能、高可靠性和高耐用性等特點。公司于 2019
年曾推出逼近封裝極限的超小 eMMC，尺寸僅為 7.5*8.0*0.6（mm）
，是公司面向智能穿戴市場的
一款廣受好評的存儲解決方案。公司 UFS 包括 UFS2.2、UFS3.1 等系列，性能及容量高出 eMMC 數(shù)
倍，可應用于旗艦手機和智能車載等中高端領域。在市場方面，公司 eMMC 系列產品已被 Google、
Facebook、小天才等知名企業(yè)應用于其智能穿戴設備上，并進入主流手機廠商供應鏈體系；UFS
系列產品已在部分客戶實現(xiàn)量產供應。
BGA SSD 為芯片形態(tài)，尺寸僅為傳統(tǒng) 2.5 英寸 SSD 的 1/50 左右，并具有低功耗、低成本、抗
震、高可靠性的優(yōu)勢。同時，由于可搭配 PCIe 接口、NVMe 協(xié)議，其讀寫性能提升的潛力巨大，
是萬物互聯(lián)時代，高性能移動智能設備的理想存儲解決方案。
通過封裝仿真設計、自研核心固件算法，并采用 16 層疊 Die 封裝工藝，公司目前的 BGA SSD
產品尺寸最小規(guī)格為 11.5*13*1.2（mm），產品容量最大可達 1TB，性能卓越，同時還具備 PLP 斷
電保護、pSLC、全局磨損均衡、LDPC(Parity Check)校驗等功能，保證了產品的穩(wěn)定性、安全性與
耐用性。在市場方面，公司 BGA SSD 已通過 Google 準入供應商名單認證，在 AI 移動終端、云手
機、高性能超薄筆記本、無人機、智能汽車等領域具有廣泛的應用前景。
LPDDR 即低功耗內存，廣泛應用于智能手機、平板電腦、超薄筆記本等移動設備領域。公司
LPDDR 產品涵蓋 LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5 各代標準，容量覆蓋 2Gb 至 64Gb；最新一
代 LPDDR5 產品相比于 LPDDR4，頻率大幅提升，最高達到 6400Mbps，功耗更低，目前已具備大
批量供應能力。
優(yōu)質 LPDDR 的特點是高頻率、大容量、低功耗，并具有良好的穩(wěn)定性、兼容性，對存儲器廠
商測試能力的要求極高。公司在 2022 年引進全球領先的 Advantest（愛德萬）T5503HS2 量產測試
系統(tǒng)并結合自研自動化測試設備，進一步強化公司自身全棧存儲芯片測試能力，結合豐富的自研
測試算法庫，滿足公司 DDR5、LPDDR5 產品的高頻高速測試需求，保證產品品質穩(wěn)定，并達到客
戶要求的性能及功耗指標。在市場方面，公司 LPDDR 系列產品已進入多家消費電子龍頭企業(yè)的供
應體系。
公司通過存儲介質特性研究、先進封裝工藝與自研測試算法，最大化提升了 MCP、SPI NAND
產品的性能和穩(wěn)定性，與不同客戶的產品方案需求相匹配。公司 MCP、SPI NAND 產品主要面向通
信市場，已進入多家龍頭企業(yè)供應體系。
公司主要嵌入式存儲產品具體介紹如下：
產品類型 外觀 應用領域 佰維存儲器產品技術特點
存儲容量：
/16GB+1GB/32GB+1GB/16GB+2GB/32GB+2GB
/64GB+2GB
最大順序讀取速度：320MB/s；
ePOP 智能穿戴
最大順序寫入速度：260MB/s；
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：
FBGA136/FBGA168/FBGA320
/FBGA144
存儲容量：
智能手機/平板電
最大順序讀取速度：320MB/s；
eMMC 腦/物聯(lián)網(wǎng)/智能穿
最大順序寫入速度：260MB/s；
戴/機頂盒等
工作溫度：-40℃~85℃/-20℃~85℃
封裝形式：FBGA153/FBGA169
存儲容量：
智能手機/智能汽 最大順序讀取速度：2100MB/s；
UFS
車 最大順序寫入速度：1200MB/s；
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：FBGA153
產品類型 外觀 應用領域 佰維存儲器產品技術特點
存儲容量：
物聯(lián)網(wǎng)/便攜式終
MCP 頻率：533MHz；
端/智能穿戴
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：FBGA162
存儲容量：
/32GB+3GB/32GB+2GB/64GB+3GB/64GB+4GB
智能手機/平板電 /64GB+6GB/128GB+4GB/128GB+6GB
eMCP 腦/物聯(lián)網(wǎng)/智能穿 最大順序讀取速度：320MB/s；
戴/機頂盒 最大順序寫入速度：260MB/s；
工作溫度：-20℃~85℃
封裝形式：
FBGA162/FBGA221/FBGA254
接口：PCIe Gen4.0 x2，NVMe 1.4；
存儲容量：256GB/512GB/1TB；
高端手機/高端筆
最大順序讀取速度：3500MB/s；
BGA SSD 記本/無人機/智能
最大順序寫入速度：3300MB/s；
汽車
工作溫度：-25℃~85℃
封裝形式：FBGA345/FBGA291
存儲容量：2Gb~64Gb；
智能手機/平板電
頻率：1,600MHz/3200MHz/6400MHz；
LPDDR 腦/物聯(lián)網(wǎng)/智能穿
工作溫度：-20℃~85℃
戴
封裝形式：FBGA168/FBGA178/FBGA200
存儲容量：128MB/256MB/512MB
智能穿戴/光調制 工作溫度：-40℃~85℃
SPI NAND
解調器/機頂盒 工作電壓：2.7V~3.6V
封裝形式：LGA8/LGA16
（2）消費級存儲
公司的消費級存儲包括固態(tài)硬盤、內存條和移動存儲器產品，主要應用于消費電子領域。公
司消費級存儲具有高性能、高品質的特點，并具備創(chuàng)新的產品設計。公司固態(tài)硬盤產品傳輸速率
最高可達 7,400MB/s，處于行業(yè)領先地位，并支持數(shù)據(jù)糾錯、壽命監(jiān)控、異常掉電保護、數(shù)據(jù)加
密、端到端數(shù)據(jù)保護、功耗監(jiān)測及控制等功能。公司已正式發(fā)布 DDR5 內存模組，傳輸速率達
公司佰維（Biwin）品牌主要面向 PC OEM 等 To B 市場，獨家運營的惠普（HP）
、掠奪者（Predator）
等授權品牌主要在京東、亞馬遜等線上平臺，以及 Best Buy、Staples 等線下渠道開發(fā) To C 市場。
針對 PC 品牌商、PC OEM 廠商、裝機商等 PC 前裝市場，公司佰維（Biwin）品牌提供的產品
主要包括消費級固態(tài)硬盤及內存條，產品具有高性能、高品質的特點，符合 To B 客戶的高標準要
求。另外，公司能提供穩(wěn)定的供貨保障和完善的售后。憑借長期的技術研發(fā)積累和智能化的生產
測試體系，公司產品通過了 PC 行業(yè)龍頭客戶嚴苛的預裝導入測試，在性能、可靠性、兼容性等方
面達到國際一流標準，目前已經進入聯(lián)想、宏碁、同方、富士康等國內外知名 PC 廠商供應鏈。在
國產非 X86 市場，公司 SSD 產品和內存模組已陸續(xù)適配龍芯、鯤鵬、飛騰、兆芯、海光、申威等
國產 CPU 平臺以及 UOS、麒麟等國產操作系統(tǒng)，獲得整機廠商廣泛認可和批量采購。
公司 To B 市場品牌主要產品具體介紹如下：
應用
產品類型 外觀 佰維存儲器產品特點
領域
應用在消費級市場的主流 PCIe SSD，具有高性能、
小尺寸、小體積的特點。
接口：PCIe Gen3.0×4，NVMe 1.3
Biwin 固態(tài)硬盤 PC 存儲容量：128GB/256GB/512GB/1TB；
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序寫入速度：3000MB/s；
工作溫度： 0℃~70℃
應用在消費級市場的主流 PCIe SSD，具有高性能、
小尺寸、小體積、大容量的特點。
接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe 1.4
Biwin 固態(tài)硬盤 PC 存儲容量：512GB/1TB/2TB
最大順序讀取速度：7400MB/s；
最大順序寫入速度：6700MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
應用于消費級、企業(yè)級筆記本電腦市場，符合
JEDEC 標準，具有高性能、低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速
Biwin DDR4 率、兼容性強的特點；
SODIMM 筆記本 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
內存條 頻率：
工作溫度：0℃~85℃；
應用于消費級、企業(yè)級個人電腦市場，符合 JEDEC
標準，具有高性能、低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼
Biwin DDR4 容性強的特點；
UDIMM PC 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
內存條 頻率：
工作溫度：0℃~85℃；
Biwin DDR4 應用于企業(yè)級服務器市場，符合 JEDEC 標準，具有
服務器
RDIMM 高性能、低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼容性強、功
應用
產品類型 外觀 佰維存儲器產品特點
領域
內存條 耗低的特點；
容量：16GB/32GB;
頻率：2666Mbps/2933Mbps/3200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應用于小型工作站，符合 JEDEC 標準，具有高性能、
低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼容性強的特點；
Biwin DDR4 ECC
工作站 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
UDIMM 內存條
頻率：2666Mbps/2933Mbps/3200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應用于小型工作站 ，符合 JEDEC 標準，具有高性
能、低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼容性強的特點；
Biwin DDR4 ECC
工作站 容量：4GB/8GB/16GB/32GB;
SODIMM 內存條
頻率：2666Mbps/2933Mbps/3200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應用于消費級、企業(yè)級個人電腦市場，符合 JEDEC
標準，具有高性能、低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼
Biwin DDR5
容性強的特點；
UDIMM PC
容量：8GB/16GB/32GB；
內存條
頻率：4800Mbps/5200Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
應用于消費級、企業(yè)級個人電腦市場，符合 JEDEC
標準，具有高性能、低時序、高數(shù)據(jù)傳輸速率、兼
Biwin DDR5
容性強的特點；
SODIMM PC
容量：8GB/16GB/32GB；
內存條
頻率：4800Mbps；
工作溫度：0℃~85℃；
公司通過獨家運營的惠普（HP）
、掠奪者（Predator）等品牌，開發(fā) PC 后裝、電子競技、移
動存儲等 To C 市場，并取得了良好的市場表現(xiàn)。
在授權品牌運營方面，公司有兩大突出優(yōu)勢：一方面公司擁有從產品規(guī)劃、設計開發(fā)到先進
制造的全棧能力，產品線囊括 NAND、DRAM 的各個品類；另一方面公司擁有覆蓋全球主要市場
的營銷網(wǎng)絡，以及本地化的產品和市場營銷隊伍、經銷商伙伴，具備面向全球市場進行產品推廣
與銷售的能力。公司先后獲得惠普（HP）和掠奪者（Predator）等國際知名品牌的存儲器產品全
球運營授權，由公司獨立進行相關產品的設計、研發(fā)、生產和市場推廣、銷售。
運營惠普（HP）以來，公司充分挖掘京東、Amazon、Newegg 等線上平臺，以及線下經銷商
渠道的銷售潛力，產品銷量位居行業(yè)前列，品牌美譽度持續(xù)提升。在拉美市場，惠普（HP）存儲
器產品表現(xiàn)強勁，曾占據(jù)秘魯?shù)葒鎯ζ鬟M口排名首位。在 2019 年京東 618 購物節(jié)、2020 年京
東 618 購物節(jié)、2020 年京東雙 11 購物節(jié)等平臺促銷活動中，HP SSD 產品銷售額排名皆進入前五。
HP FX900 Pro 固態(tài)硬盤獲得 Nikktech 2022 金牌獎、Kitguru 2022 值得購買獎、TweakTown 2022 編
輯選擇獎、IOPS 冠軍；HP FX900 固態(tài)硬盤獲得 TweakTown 2022 編輯選擇獎、PCMag 2022 年度“最
佳 M.2 SSD”第四名；HP V10 內存模組獲得 Techpowerup 2022 高度推薦獎、FunkyKit 2022 編輯選
擇金獎、2021 年德國紅點獎以及德國 IF 設計獎；HP P500 移動固態(tài)硬盤榮獲“PConline 2020 年度
橫評年度風云移動固態(tài)硬盤”獎。
為進一步提升公司消費級存儲的市場覆蓋能力，2020 年 7 月，公司與宏碁（Acer）簽訂高端
電競品牌掠奪者（Predator）的全球獨家品牌授權，授權產品包括內存模組、固態(tài)硬盤、移動固態(tài)
硬盤等品類。公司掠奪者（Predator）的系列產品主要面向游戲電競市場，于 2021 年 4 月順利面
市，并迅速在 To C 市場嶄露頭角。宏碁掠奪者（Predator）京東自營店在 2021 年京東 618 購物節(jié)、
雙 11 購物節(jié)及 2022 年京東 618 購物節(jié)、雙 11 購物節(jié)期間進入內存品類店鋪前十名。除電競內
存品類外，掠奪者（Predator）存儲品牌在電競 SSD 領域持續(xù)發(fā)力，于 2022 年京東雙 11 購物節(jié)
期間首次進入京東 SSD 品類店鋪排行前十名。掠奪者（Predator）Apollo 內存榮獲“PConline 2021
智臻科技獎年度頻率之星內存”
，掠奪者（Predator）Vesta 系列內存獲得 2022 年德國紅點獎，掠
奪者（Predator） GM7000 SSD 榮獲“PCMag 2022 年度最佳電競 SSD 第一名”
，掠奪者（Predator）
存儲品牌榮獲“2022 年什么值得買消費大賞新銳潮流品牌獎”
。
公司 To C 市場品牌主要產品具體介紹如下：
產品類型 外觀 應用領域 佰維存儲器產品特點
U.2 PCIe SSD，支持 4 通道 PCIe Gen3.0，支持 NVMe
協(xié)議，具有高性能與高可靠性的特點。
接口：PCIe Gen3.0×4，NVMe 1.3；
HP
PC 存儲容量：512GB/1TB/2TB；
固態(tài)硬盤
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序寫入速度：3000MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
新一代接口的 PCIe SSD，具有小尺寸、高性能、低
功耗的特點。
接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe 1.4；
HP
PC 存儲容量：512GB/1TB/2TB/4TB；
固態(tài)硬盤
最大順序讀取速度：7400MB/s；
最大順序寫入速度：6700MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
產品類型 外觀 應用領域 佰維存儲器產品特點
SATA SSD 具有應用廣泛、穩(wěn)定易用的特點，是目前
市面上使用量最大的 SSD。
接口：SATA3.0, 6Gb/s
HP
PC 存儲容量：256GB/512GB/1TB；
固態(tài)硬盤
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序寫入速度：520MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
消費類 SATA M.2 SSD，使用 DRAM-less 的方案，具
有低成本的優(yōu)勢，同時可以為客戶提供良好的應用
性能。
HP 接口：SATA3.0, 6GB/s
PC
固態(tài)硬盤 存儲容量：256GB/512GB/1TB；
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序寫入速度：520MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
應用于臺式機的內存條，具有高速、穩(wěn)定、兼容性
好、低功耗的特點；
HP 內存條 PC 類型：DDR4 U-DIMM
容量：4GB/8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 3200Mbps
應用于臺式機的內存條，具有高速、穩(wěn)定、兼容性
好、低功耗的特點；
HP 內存條 PC 類型：DDR4 U-DIMM 帶散熱器
容量：8GB/16GB；
頻率：最高 4133 Mbps
應用于臺式機的內存條，具有穩(wěn)定的特點。
類型：DDR4 U-DIMM 帶散熱器，RGB 燈條
HP 內存條 PC
容量：8GB/16GB；
頻率：最高 4133 Mbps
應用于筆記本的內存條，高速、穩(wěn)定、兼容性好、
低功耗；
HP 內存條 PC 類型：DDR4 SO-DIMM
容量：4GB/8GB/16GB；
頻率：最高 3200 Mbps
高端電競臺式機內存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
HP 類型：DDR4 U-DIMM ;
PC
內存條 容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4400 Mbps
產品類型 外觀 應用領域 佰維存儲器產品特點
應用于筆記本的內存條，采用全新 DDR5 設計規(guī)范，
具有高性能、高數(shù)據(jù)傳輸速率、低功耗、兼容性強
HP 等特點；
PC
內存條 類型：DDR5 SO-DIMM
容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4800 Mbps
應用于臺式機的內存條，采用全新 DDR5 設計規(guī)范，
具有高性能、高數(shù)據(jù)傳輸速率、低功耗、兼容性強
HP 等特點；
PC
內存條 類型：DDR5 U-DIMM
容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4800 Mbps
高性能、低功耗、兼容最新的 Intel/AMD 最新平臺
接口：PCIe Gen3.0×4，NVMe1.3；
Predator
存儲容量：512GB/1TB；
GM3500 固 PC
最大順序讀取速度：3400MB/s；
態(tài)硬盤
最大順序寫入速度：3000MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
高性能、低功耗、兼容最新的 Intel/AMD 最新平臺，
支持 PS5 擴容
Predator 接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe1.4；
GM7000 固 PC 存儲容量：512GB/1TB/2TB；
態(tài)硬盤 最大順序讀取速度：7400MB/s；
最大順序寫入速度：6700MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
高性能、低功耗、兼容最新的 Intel/AMD 最新平臺，
支持 PS5 擴容
Predator 接口：PCIe Gen4.0×4，NVMe1.4；
GM7 PC 存儲容量：512GB/1TB/2TB；
固態(tài)硬盤 最大順序讀取速度：7200MB/s；
最大順序寫入速度：6300MB/s；
工作溫度：0℃~70℃
高端電競臺式機馬甲條，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR4 U-DIMM;
Pallas PC
容量：16GB/32GB；
內存條
頻率：最高 3600 Mbps
高端電競臺式機馬甲條，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR4 U-DIMM;
Talos PC
容量：16GB/32GB；
內存條
頻率：最高 3600 Mbps
Predator 高端電競臺式機 RGB 內存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
PC
Apollo 類型：DDR4 U-DIMM;
產品類型 外觀 應用領域 佰維存儲器產品特點
內存條 容量：16GB/32GB；
頻率：最高 4400 Mbps
高端電競臺式機 RGB 內存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR4 U-DIMM;
Vesta PC
容量：16GB/32GB；
內存條
頻率：最高 4000 Mbps
高端電競臺式機 RGB 內存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR5 U-DIMM;
Vesta II PC
容量：32GB/64GB；
內存條
頻率：最高 6800 Mbps；
高端電競臺式機 RGB 內存，高速、穩(wěn)定、兼容性好；
Predator
類型：DDR5 U-DIMM;
Pallas II PC
容量：32GB/64GB；
內存條
頻率：最高 6000 Mbps；
產品穩(wěn)定，具有廣泛兼容性及實用性。可以在不同
設備間進行數(shù)據(jù)的轉移，存放；
接口：USB3.2 Gen2 Type-C
HP 移動固 個人消費
存儲容量：120GB/250GB/500GB/1TB
態(tài)硬盤 者
最大順序讀取速度：420MB/s
最大順序寫入速度：420MB/s
工作溫度：0℃~50℃
具有小尺寸，大容量，高性能的特點。
接口：SDIO
存儲容量：64GB/128GB/256GB
HP NM 卡 智能手機
最大順序讀取速度：90MB/s
最大順序寫入速度：85MB/s
工作溫度：-25℃~85℃
具有穩(wěn)定寫入性能、高耐用性和高可靠性，適合拍
攝、存放大型 RAW 圖像文件以及電視/電影所需的
高質量視頻。
Biwin CF 全景相機/ 接口：PCIe Gen3×2
express 卡 運動相機 存儲容量：256GB/512GB/1TB
最大順序讀取速度：1700MB/s
最大順序寫入速度：1250MB/s
工作溫度：-10℃-70℃
CFast 存儲卡基于新一代高性能照相機和攝像機，具
有無與倫比的穩(wěn)定寫入速度，提供了適合全高清錄
智能汽車/
Cfast 制規(guī)格的專業(yè)優(yōu)異速度與容量，并可支持 4K 高清
醫(yī)療保健/
存儲卡 視頻的錄制。
工業(yè)相機
容量：256GB~1TB
工作溫度：-40~85℃/-25~70℃/0~70℃
（3）工業(yè)級存儲
公司工業(yè)級存儲包括工規(guī)級 SSD、車載 SSD 及工業(yè)級內存模組等，主要面向工業(yè)類細分市場，
應用于 5G 基站、智能汽車、智慧城市、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端醫(yī)療設備、智慧金融等領域。工業(yè)級
客戶對產品的性能、穩(wěn)定性、安全性、強固性、耐用性有著嚴苛的標準，對存儲器廠商的技術研
發(fā)實力、定制化能力、生產工藝、穩(wěn)定供應等提出了極高的要求。公司針對不同領域的工業(yè)級應
用開發(fā)了眾多技術解決方案，滿足不同場景的應用需求。為布局車規(guī)級存儲器產品應用市場，公
司于 2018 年獲得 IATF16949:2016 汽車質量管理體系認證。
公司通過自研設備和算法對存儲介質進行特性研究及篩選，可針對不同應用適配最佳的存儲
介質，滿足客戶的寬溫需求；通過核心固件算法開發(fā)，讓產品具有讀寫性能穩(wěn)定、數(shù)據(jù)糾錯、壽
命監(jiān)控、異常掉電保護、數(shù)據(jù)加密、端到端數(shù)據(jù)保護、功耗監(jiān)測及控制等功能；通過硬件設計與
仿真，讓產品具有更高的可靠性和持續(xù)工作穩(wěn)定性，并具備邏輯銷毀，物理銷毀及異常斷電保護
等功能；通過先進封裝工藝，實現(xiàn)產品的小尺寸、多芯片異構集成封裝；通過自研測試設備與測
試算法，保證產品的高品質與高性能。
公司工業(yè)級存儲以 A、B、G 等系列 SSD 產品為主。各系列產品包括 2.5"SSD、mSATA、SATA M.2
SSD、NVMe M.2 SSD 等不同的產品形態(tài)，滿足客戶的不同需求與場景。A 系列產品屬常溫入門級
（工作溫度：0℃~70℃）；B 系列適用于小文件密集寫入及頻繁異常掉電應用場景需求；G 系列適
用于寬溫環(huán)境（工作溫度：-40℃~85℃）。
公司主要工業(yè)級存儲具體介紹如下：
產品名稱 外觀 應用領域 佰維存儲器產品特點
可在寬溫下工作，支持掉電保護，軟件數(shù)
醫(yī)療保健/特殊工業(yè)
應用/智慧交通/服務
盤 容量：16GB~4TB
器
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序寫入速度：520MB/s；
工業(yè)行業(yè)應用的 mSATA SSD 系列，支持
SATA Ⅲ（6Gb/s），憑借小巧的尺寸，在
特殊的應用下，可以提供高可靠的數(shù)據(jù)存
mSATA 固 特殊工業(yè)應用/自動
儲。
態(tài)硬盤 化設備/智慧交通
容量：128GB~512GB
最大順序讀取速度：560MB/s；
最大順序寫入速度：520MB/s；
PCIe NVMe SSD，接口傳輸帶寬為 PCIe 3.0
（8Gb/s）x4，支持最新的 NVMe 1.3 協(xié)議，
AIC 固態(tài)硬 服務器存儲/視頻監(jiān) 應用于超高速應用場景。
盤 控 容量：120GB~2TB
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序寫入速度：3000MB/s；
M.2 SSD 支持 NVMe1.3 協(xié)議，搭載 PCIe
Gen3×4 數(shù)據(jù)傳輸通道，讀取速度、寫入
速度分別高達 3500MB/s、3000MB/s，可
M.2
工業(yè)電腦 輕松滿足工業(yè)電腦對高速存儲的需求。
固態(tài)硬盤
容量：128GB~1TB
最大順序讀取速度：3500MB/s；
最大順序寫入速度：3000MB/s；
可適用于自動化設備、工業(yè)電腦與嵌入式
系統(tǒng)，是具備高效能、高穩(wěn)定性與高兼容
工業(yè)級內 特殊工業(yè)應用/自動
性的內存模組。
存條 化設備/視頻監(jiān)控
容量：8GB/16GB/32GB；
頻率：最高 4800 MT/s
（4）先進封測
公司以子公司惠州佰維作為先進封測及存儲器制造基地。惠州佰維專精于存儲器封測及 SiP
封測，目前主要服務于母公司的封測需求。惠州佰維封裝工藝國內領先，目前掌握 16 層疊 Die、
開發(fā)了一系列存儲芯片測試設備和測試算法，擁有一站式存儲芯片測試解決方案。未來，隨著產
能不斷擴充，惠州佰維將利用富余產能向存儲器廠商、IC 設計公司、晶圓制造廠商提供代工服務，
形成新的業(yè)務增長點。惠州佰維目前可提供 Hybrid BGA（WB+FC）、WB BGA、FC BGA、FC CSP、LGA、
QFN 等封裝形式的代工服務。
封裝形式 相關介紹 公司典型應用產品及介紹
采用了先進的系統(tǒng)級封裝（SiP）
工藝，即將多枚晶粒（Die）及
與其配套的無源電子元器件，
公司 Hybrid-BGA 類產品主要用于存儲芯
根據(jù)各自的特點和電氣性能要
片的封裝。目前 Hybrid-BGA 封裝主流尺寸
求，通過不同的封裝工藝整合
為 11.5*13（mm），通過系統(tǒng)級混裝工藝，
在一顆芯片里。系統(tǒng)級封裝可
Hybrid-BGA/LGA 在一枚封裝中封裝了 18 顆晶粒，其中 1
將原先分散的多顆晶粒的功能
顆為倒裝晶粒，17 顆為焊線晶粒，并采用
集成在一顆芯片里，大幅提高
了毛細底部填充（CUF）工藝，植球數(shù)量
芯片的集成度、電氣連接性能，
達到 400。
并進一步縮小芯片尺寸。
公 司 Hybrid-LGA 芯 片 組 產 品 尺 寸 為
公司的混裝（Hybrid）系統(tǒng)級封
裝工藝可通過堆疊結構，同時
在一枚芯片組中封裝了 7 顆晶粒，并同時
采用正裝工藝和倒裝工藝，將
封裝了 24 顆 SMT 元件，觸點數(shù)量可達
多枚晶粒和電子元器件封裝成
一顆芯片。
指紋 IC 中。
兩種封裝形式均采用系統(tǒng)級封
裝工藝，采用堆疊結構或封裝
模式，在基板上貼裝多枚正裝
芯片和電子元器件，其封裝結 公司目前最先進的 WB-BGA 產品采用 15
構采用金屬線鍵合連接方式 μm 的金線焊線技術（Golden wire die to
（Wire Bonding）同基板實現(xiàn)互 die），在一枚尺寸為 12*12（mm）的芯片
WB-BGA/LGA 連，并通過高密度和小線弧焊 上組裝，焊線數(shù)量超過 1000 根，并能集
線，以滿足產品更高的 I/O 輸 成多顆焊線晶粒及 SMT 元器件，植球數(shù)量
出端需求。同時，將多枚晶粒 達到 366，WB-BGA 類封裝主要應用于消
和相關電子元器件封裝為一顆 費級、工業(yè)級、車規(guī)級等存儲產品。
芯片，使單芯片實現(xiàn)模組化功 公 司 WB-LGA 產 品 封 裝 尺 寸 包 括
能；其中 WB-BGA 產品基板背 3*3-25*25（mm）等多種規(guī)格，一枚封裝
面采用錫球工藝，WB-LGA 產品 中最多封裝了 7 顆晶粒（包含 GaAs 芯片
基板采用金手指工藝，以滿足 和存儲芯片）、10 顆以上 SMT 元器件，觸
不同產品對布線密度和 I/O 輸 點數(shù)量可達 141。WB-LGA 廣泛應用于射
出數(shù)量的需求。 頻芯片、藍牙芯片、Wifi 芯片等。
WB-QFN 采用銅引腳框架進行封裝，引
線框架貼裝正裝芯片，再采用
金 屬 線 鍵 合 連 接 方 式 （ Wire
Bonding）將芯片同引線框架進 公司 QFN 產品尺寸覆蓋了 2*2（mm）至
封裝形式 相關介紹 公司典型應用產品及介紹
行互連。封裝底部采用外圍引 9*9（mm）多種不同規(guī)格，單一封裝晶粒
腳，為印刷線路板提供電接觸。 數(shù)量可達 4 顆，最大 pin 可達 76，相關芯
此類產品散熱性能優(yōu)越，適用 片主要終端應用為移動顯示、面板顯示、
于手機、平板電腦等領域。 LED 顯示、綠色照明、穿戴式設備等。
FC-CSP
兩種封裝形式均采用了先進的
公 司 FC-CSP 產 品 采 用 模 塑 底 部 填 充
倒裝（Flip Chip）工藝。相對于
（MUF）或毛細底部填充（CUF）工藝，
傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式
采用的凸點工藝（Bumping）類型包括焊
（Wire Bonding），倒裝工藝是
錫凸點工藝（Solder Bump）和銅柱凸點
在晶圓上制作凸點（Bumping） ，
（Copper Pillar Bump）工藝。目前，公司
電性面朝下直接同基板互連。
所封裝的最大尺寸 FC-CSP 封裝大小為
同傳統(tǒng)金屬鍵合封裝相比，采
用倒裝形式封裝的芯片尺寸更
FC-BGA 小、散熱性和電性能更為優(yōu)越。
凸點數(shù)量達 1400 個，最小凸點間隔（Bump
其中 FC-CSP 產品基板背面采用
pitch）為 80um，植球數(shù)量可達 490。相
錫球工藝，F(xiàn)C-BGA 產品使用
關芯片主要應用于平板電腦、智能可穿戴
Lid-attach 貼散熱蓋工藝替代傳
設備等存儲類產品。
統(tǒng) Molding 工藝，金屬散熱蓋
公 司 FC-BGA 產 品 支 持 0.5*0.5-45*45
大大提升了產品的散熱性，適
（mm）封裝尺寸，最多植球數(shù)量可達
用于大功率、高傳輸速率的存
儲類產品。
μm。FC-BGA 目前是移動設備中的理想封
裝技術，被廣泛應用于智能手機、平板電
腦和其他移動設備。
公司通過整合產品設計開發(fā)生命周期管理系統(tǒng)、質量管理系統(tǒng)、倉庫管理系統(tǒng)、生產信息化
管理系統(tǒng)、產品更改通知管理系統(tǒng)、交付系統(tǒng)，將制造過程與采購、研發(fā)、交付等相關環(huán)節(jié)進行
緊密協(xié)同，實現(xiàn)產品制造信息化。公司通過芯片封裝/測試設備、模組制造/測試設備的一體化聯(lián)
機運行，實現(xiàn)了生產制造的高度自動化且全程可追溯。
公司在信息化和自動化的基礎上，一方面通過自主開發(fā)定制將采購、研發(fā)、生產、銷售信息
系統(tǒng)打通，形成了產品全生命周期的數(shù)據(jù)管理體系；另一方面通過設備改造和全自動化測試設備
開發(fā)，實現(xiàn)了芯片及模組生產測試全自動化，構建了智能化的制造體系。
(二) 主要經營模式
集成電路行業(yè)經過多年發(fā)展，英特爾、三星、德州儀器等巨頭逐漸形成 IDM（Integrated Device
Manufacturing，垂直分工模式）的經營模式，是指企業(yè)除了進行集成電路設計以外，同時也擁有
自己的晶圓制造廠和封裝測試廠，業(yè)務范圍涵蓋電路行業(yè)的主要環(huán)節(jié)。該模式對企業(yè)的技術能力、
資金實力、管理組織水平以及市場影響力等方面都有極高的要求。
隨著芯片制造工藝進步、晶圓尺寸擴大、投資規(guī)模增長，集成電路行業(yè)趨向于專業(yè)化分工，
越來越多的企業(yè)走向專業(yè)化的發(fā)展道路，只專注于集成電路的芯片設計、晶圓制造、封裝測試三
大環(huán)節(jié)中的某一環(huán)節(jié)。
對比前兩種模式，佰維存儲緊緊圍繞半導體存儲器產業(yè)鏈，構筑研發(fā)封測一體化的經營模式，
在存儲介質特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封裝、測試方案研發(fā)、全球品牌運營等方面具有
核心競爭力，并積極布局芯片 IC 設計、先進封測、芯片測試設備研發(fā)等技術領域。具體模式如下：
在研發(fā)封測一體化經營模式下，公司針對市場的不同需求進行產品設計、研發(fā)及原材料選型，
從供應商購入 NAND Flash 晶圓及芯片、DRAM 晶圓及芯片、主控晶圓及芯片等主要原材料，對存
儲介質開展特性研究與匹配，通過固件/軟件/硬件和測試方案開發(fā)適配各類客戶典型應用場景，
并進行 IC 封測或模組制造，將原材料生產成半導體存儲器產品，銷售給下游客戶。該模式為公司
在產品創(chuàng)新及開發(fā)效率、產能及品質保障等方面帶來競爭優(yōu)勢，同時規(guī)避了晶圓迭代的技術風險
和過重的資本投入。
公司高度重視產品設計研發(fā)，秉持以客戶需求為牽引的核心原則，構建了基于 IPD 管理理念
的產品研發(fā)體系，通過組建包括市場、開發(fā)、生產制造、財務、質量等多領域員工參與的 PDT 集
成開發(fā)團隊，實現(xiàn)了從市場需求分析、立項論證、產品開發(fā)、產品驗證、產品發(fā)布的全過程技術
與質量管控，有效的保障了產品的技術先進性、產品交付質量及商業(yè)成功。
除客戶需求牽引的產品開發(fā)過程以外，公司高度重視關鍵、核心技術方向的預研布局，在公
司產品戰(zhàn)略的指引下，研發(fā)部門結合行業(yè)技術發(fā)展趨勢，開展技術平臺建設，以實現(xiàn)技術引領產
品，技術服務產品的戰(zhàn)略目標。技術平臺通過對產品共有關鍵技術及核心技術進行預研攻關，有
效的縮短了產品上市過程，提升了產品開發(fā)效率。
公司產品開發(fā)與技術平臺開發(fā)遵循一致的研發(fā)過程管理體系，共分為以下 6 個階段：
特定產品技術方向，開展核心特性分析、應用場景及競爭分析，尋找商業(yè)價值點。同時市場部門
與研發(fā)部門結合關鍵技術路徑分析及研發(fā)投入資源分析評估結果共同完成核心產品特性的取舍，
輸出市場需求包與投入產出分析，供立項決策，立項通過后進入下一階段；
通過架構設計、DFEMA 分析、DFX 設計等研發(fā)過程，將市場需求分解到芯片、硬件、軟件、封裝、
制造等各技術領域，形成設計需求，并由各技術領域研發(fā)人員完成各領域的方案設計、關鍵技術
點驗證；產品測試部門在此階段開展產品測試方案設計，以保障設計需求得到充分驗證。方案階
段，PDT 團隊輸出的設計需求、產品架構設計、設計方案、測試方案、項目計劃等由公司相應技
術委員會評審通過后，用以指導下一階段開發(fā)工作；
硬件設計、封裝設計、固件開發(fā)、應用軟件開發(fā)、測試開發(fā)等，并完成各技術領域設計需求的測
試驗證；
完成產品的生產工藝開發(fā)及導入，達成小批量試制的質量目標；
壽命測試、數(shù)據(jù)可靠性等；
入產品量產階段。產品發(fā)布后根據(jù)公司生產部門和客戶的問題反饋，持續(xù)優(yōu)化產品，達到客戶滿
意。
在上述開發(fā)過程中，公司實行商業(yè)決策點與技術決策點雙線評審的機制，通過公司產品管理
委員會與專家委員會的評審有效保障各階段的交付質量。
為保障 IPD 模式有效運作，公司設置了成都、深圳、惠州及杭州四個研發(fā)中心，廣納行業(yè)英
才，并基于技術領域設置了介質研究部、系統(tǒng)架構部、IC 設計中心、裝備開發(fā)中心、軟件部、硬
件部、測試部、封測工程部、封測 R&D、項目管理部等技術研發(fā)及項目管理部門，以保障研發(fā)體
系的有效運作及技術領域的資源共享。
公司目前主要的生產基地是惠州佰維。惠州佰維擁有芯片封測和模組制造兩個生產模塊，其
中芯片封測生產模塊進行從晶圓到芯片的封裝測試工序，主要用于嵌入式存儲產品的制造，并為
模組制造生產模塊提供 NAND Flash 芯片原料；模組制造生產模塊主要進行 SMT、外殼組裝及成品
測試等工序，主要用于固態(tài)硬盤、內存條、存儲卡等消費級/工業(yè)級存儲產品的制造。在產品交付
過程中，面對客戶的大批量交付、急單交付等需求，公司自主封測制造能力可以確保客戶交期與
產品品質。
在公司自有產能無法全部滿足生產需求時，部分產品會通過外協(xié)加工方式完成生產，同時公
司將部分面向 To C 市場生產工序簡單、對成本較為敏感的產品進行委外加工。公司外協(xié)加工涉及
的生產環(huán)節(jié)主要為 SMT 貼片、成品組裝、外包裝制作等技術含量相對較低的環(huán)節(jié)，以及工藝簡單
的芯片封裝及測試，不涉及關鍵技術；多芯片堆疊、SiP、超薄 Die、Flip Chip 等先進封裝工藝生產
均由公司自有產線承擔。
佰維存儲根據(jù)自身生產工序特點及終端存儲器產品需求，建立起完善的供應商采購體系：芯
片類產品在生產過程涉及的原輔料主要包括 NAND Flash 晶圓、DRAM 晶圓、主控芯片、基板等；
模組類產品在生產過程涉及的原輔料主要包括 NAND Flash 芯片、DRAM 芯片、主控芯片、PCB 等，
其中 NAND Flash 芯片主要由公司芯片封測生產模塊提供。
（1）存儲晶圓及芯片采購
晶圓是經集成電路制造工藝制作而成的圓形硅片，具備特定的電性功能；芯片是晶圓經封裝
測試后能夠直接使用的成品形態(tài)。在半導體存儲器領域，存儲晶圓及芯片均系核心存儲介質，系
半導體存儲器的核心原材料，公司根據(jù)生產需求靈活選擇采購存儲晶圓或芯片。全球的存儲晶圓
產能集中于三星、SK 海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、英特爾、長江存儲、合肥長鑫等存儲晶圓
制造廠商，該等廠商一般僅與少數(shù)重要客戶建立直接合作關系并簽訂長期合約。通過多年的合作，
佰維存儲已經和主要的存儲晶圓制造廠商、經銷商建立了長期穩(wěn)定的合作關系，可以保障存儲晶
圓供應的持續(xù)、穩(wěn)定。佰維存儲采用按需采購和備貨相結合的采購策略，一方面根據(jù)與下游客戶
簽立的銷售訂單及自身庫存情況向供應商提出采購需求，另一方面公司會根據(jù)對市場供給形勢、
存儲晶圓價格趨勢等市場因素綜合分析，進行備貨采購以應對存儲晶圓價格波動對公司經營業(yè)績
的影響。
（2）主控晶圓及芯片采購
主控制器是半導體存儲器的核心部件之一。在采購環(huán)節(jié)，佰維存儲主要根據(jù)與客戶簽立的銷
售訂單以及公司對于市場未來需求的預測向主控制器供應商采購芯片。主控制器主要供應商有慧
榮科技、聯(lián)蕓科技、英韌科技等。通過多年的合作，佰維存儲已經和行業(yè)一流的主控芯片供應商
建立了長期而穩(wěn)定的合作關系，可以保障主控制器供應持續(xù)、穩(wěn)定。
（3）基板、PCB 等采購
基板、PCB 是半導體存儲器生產過程中的重要輔料。在采購環(huán)節(jié)，佰維存儲主要根據(jù)與客戶
簽立的銷售訂單以及公司對于市場未來需求預測采購這兩種物料。目前公司主要的基板供應商有
深南電路、興森快捷、和美精藝等；主要 PCB 供應商有欣強電子、中京電子等。上述廠商均與公
司建立了長期穩(wěn)定的合作關系。
根據(jù)半導體存儲器行業(yè)特點及下游客戶的需求，公司采用直銷與經銷相結合的銷售模式。直
銷模式下，公司直接將存儲器產品銷售給終端客戶；經銷模式下，公司產品通過經銷商銷售給下
游終端客戶。
公司根據(jù)專業(yè)化運營的要求，構建了完善的公司治理體系，建立了全面覆蓋研發(fā)、生產、采
購、銷售和管理的組織機構。公司通過制度體系的建設和完善，對日常經營實現(xiàn)了制度化、流程
化和信息化的有序管理。
(三) 所處行業(yè)情況
（1）半導體存儲器行業(yè)基本情況
半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成
電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。根據(jù)世界半導體貿易統(tǒng)計
組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2022 年全球半導體市場規(guī)模為 5,735 億美元，比 2021 年增長了 3.2%。
下一代信息技術與存儲器技術發(fā)展密不可分。物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、智能車聯(lián)網(wǎng)、元
宇宙等新一代信息技術既是數(shù)據(jù)的需求者，也是數(shù)據(jù)的產生者。根據(jù)市場調研機構國際數(shù)據(jù)公司
（International Data Corporation，IDC）發(fā)布的《數(shù)字化世界-從邊緣到核心》白皮書預測，全球數(shù)
據(jù)總量將從 2018 年的 33ZB 增長至 2025 年的 175ZB。面臨數(shù)據(jù)的爆發(fā)式增長，市場需要更多的存
儲器承載海量的數(shù)據(jù)。CFM 閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球存儲市場規(guī)模為 1,391.87 億美元。
公司主要從事的 NAND Flash 和 DRAM 存儲器領域是半導體存儲器中規(guī)模最大的細分市場，規(guī)
模均在數(shù)百億美元以上，合計占整個半導體存儲器市場比例達到 95%以上。
作為電子設備的最大生產國和最大消費國，中國是存儲芯片最大的終端使用地，但國產存儲
芯片目前占比較小，國產存儲行業(yè)有巨大的成長空間，國內存儲器廠商迎來巨大的發(fā)展機遇。
NAND Flash 是非易失性存儲的一種，是大容量存儲器當前應用最廣和最有效的解決方案。CFM
閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球 NAND Flash 市場規(guī)模為 601.26 億美元。目前全球主要的 NAND
Flash IDM 原廠為三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士等企業(yè)，同時國產廠商實現(xiàn)了快速地進
步。
NAND Flash 具有存儲容量大、讀寫速度快、功耗低、單位成本低等特點，主要應用于有大容
量存儲（Storage）需求的電子設備。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G 等新興應用場景不斷落
地，電子設備/服務器需要存儲的數(shù)據(jù)也越來越龐大，NAND Flash 需求量巨大，市場前景廣闊。
DRAM 是動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM 的特征是讀寫速度快、延遲低，但掉電后數(shù)據(jù)會丟失，
常用于計算系統(tǒng)的運行內存（Memory）
。CFM 閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球 DRAM 市場規(guī)模為
場占有率合計已超過 95%，其中三星市場占有率接近 50%。
目前，DRAM 在 Mobile 及服務器市場的應用占比均超過 30%。未來隨著 AI、云計算、大數(shù)據(jù)
等技術發(fā)展，服務器市場對 DRAM 需求有望大幅增長，成為 DRAM 產能消耗的主力。
NAND Flash 和 DRAM 等半導體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓的設計及制造標準化
程度較高，各原廠同代產品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術規(guī)格趨同，存儲器的功能特性須
通過主控/固件設計、介質特性研究、軟件/硬件/測試設計等存儲介質應用技術及芯片封測等產業(yè)
鏈后端環(huán)節(jié)實現(xiàn)。不同類別的晶圓選型、封測技術和應用技術的組合，能夠為終端客戶提供滿足
各種場景需要，在容量、帶寬、時延、壽命、尺寸等方面各異的，
“千端千面”的存儲器產品。
存儲 IDM 原廠憑借 IDM 模式向下游存儲器產品領域滲透，其競爭重心在于提升晶圓技術、降
低成本、提高市場占有率，在應用領域主要聚焦通用化、標準化的存儲器產品，重點服務智能手
機、個人電腦及服務器等行業(yè)的頭部客戶。除該等通用型存儲器應用外，仍存在極為廣泛的應用
場景和市場需求，包括細分行業(yè)存儲需求（如智能可穿戴設備、智能家居、汽車電子、工業(yè)設備、
安防監(jiān)控、小規(guī)模服務器等）以及主流應用市場里中小項目的需求。
存儲解決方案廠商面向下游細分行業(yè)客戶的客制化需求，進行介質晶圓特性研究與選型、主
控芯片定制與開發(fā)、固件/軟件/硬件開發(fā)、封裝設計與制造、芯片/模組測試、提供后端的技術支
持等，將標準化存儲晶圓轉化為“千端千面”的存儲器產品，擴展了存儲器的應用場景，提升了
存儲器在各類應用場景的適用性，推動實現(xiàn)存儲晶圓的產品化和商業(yè)化，是存儲器產業(yè)鏈承上啟
下的重要環(huán)節(jié)。領先的存儲器廠商在存儲晶圓產品化的過程中形成品牌聲譽，進而提升市場表現(xiàn)，
獲得資源進一步加強對核心優(yōu)勢的投入，形成良性循環(huán)。
在存儲產業(yè)發(fā)展的歷程中，存儲原廠和存儲解決方案廠商形成了良性的產業(yè)合作生態(tài)，共同
覆蓋廣闊的信息技術市場，滿足客戶對多樣化存儲器產品的需求。未來，隨著數(shù)字化的不斷進展，
存儲細分應用需求層出不窮，存儲原廠和存儲解決方案廠商的合作將更加緊密。
（2）半導體存儲器行業(yè)未來發(fā)展趨勢
從短期來看，受宏觀經濟影響，2022 年半導體行業(yè)進入“降溫”期。世界半導體貿易統(tǒng)計組
織（WSTS）指出，2023 年全球半導體市場將縮減 4.1%，包括美洲、歐洲、日本、環(huán)太平洋地區(qū)
在內的全球半導體重點地區(qū)的市場增速均將放緩。2023 年半導體存儲器行業(yè)的觸底和復蘇是業(yè)界
關注的重點。
隨著移動通信技術的發(fā)展和移動互聯(lián)網(wǎng)的普及，作為半導體存儲器行業(yè)下游最重要的細分市
場之一，智能手機和平板電腦市場的景氣度對半導體存儲器的行業(yè)發(fā)展有重要的影響。公司嵌入
式存儲中的 eMMC、UFS、LPDDR、eMCP、BGA SSD 等產品適用于智能手機和平板電腦。
對智能手機、個人電腦等消費電子需求大幅減弱。在智能手機行業(yè)，根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，2022 年全
球智能手機出貨量同比下降 11.3%，降至 12.06 億臺，但是單機的存儲容量仍然保持增長趨勢。隨
著個人數(shù)據(jù)的不斷增長，全球智能終端領域新應用的不斷涌現(xiàn)，數(shù)據(jù)存儲需求將不斷增長；同時，
NAND Flash 和 DRAM 成本不斷下降，也將進一步刺激存儲需求的增長。
智能可穿戴設備是綜合運用各類識別、傳感、數(shù)據(jù)存儲等技術實現(xiàn)用戶交互、生活娛樂、人
體監(jiān)測等功能的智能設備。智能可穿戴設備行業(yè)按照應用領域可以劃分為醫(yī)療與保健、健身與健
康及信息娛樂等。智能可穿戴設備的功能覆蓋健康管理、運動測量、社交互動、休閑游戲、影音
娛樂等諸多領域，主要品類包括 TWS 藍牙耳機、智能手表、智能眼鏡、AR/VR 設備等。根據(jù) IDC
報告，到 2025 年，全球可穿戴設備終端銷售市場規(guī)模將達到 1,063.5 億美元，年均復合增長率達
設備等智能穿戴設備。
近年來，全球科技企業(yè)在 AI 及元宇宙領域加碼投資，在 AR、VR 及 MR 市場得到呈現(xiàn)，大量
存儲需求正在快速萌芽。據(jù) IDC 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球 AR/VR 總投資規(guī)模約 147 億美元，有望以
起，VR 終端銷量加速增長，2021 年全球 VR 設備出貨量首次突破千萬。在游戲、視頻等應用驅動
下，智能頭顯的分辨率持續(xù)增長，VR 生態(tài)也逐漸完善，其中將衍生出大量存儲需求。雖然目前
AR/VR 頭顯領域的存儲市場規(guī)模還較小，但隨著智能頭顯出貨量和單機容量持續(xù)提升，預計相關
嵌入式存儲需求將穩(wěn)健增長。
隨著智能手表/手環(huán)普及率持續(xù)提升，身體健康數(shù)據(jù)監(jiān)測和運動監(jiān)測功能的需求帶動智能手表
/手環(huán)的市場持續(xù)擴大。更薄的尺寸、更長的續(xù)航、更全面的健康監(jiān)測能力都將推動可穿戴設備不
斷改進人們的運動、健康、休閑娛樂等生活方式，智能手表/手環(huán)的發(fā)展前景非常廣闊。隨著市場
的發(fā)展，相關嵌入式存儲需求迎來增長機遇。
存儲器是可穿戴設備的重要組成部分，很大程度上影響穿戴設備的性能、尺寸和續(xù)航能力。
伴隨智能可穿戴設備行業(yè)在各垂直領域應用程度的加深，智能可穿戴設備行業(yè)將持續(xù)擴容，可穿
戴設備對存儲器的需求也將顯著增長；同時，由于可穿戴設備對于低功耗、小尺寸、快響應等特
性的不斷追求，其對存儲器的能耗比、尺寸、穩(wěn)定性、響應速度等多個特性指標的要求也將不斷
提高。公司研發(fā)封測一體化的布局，在該領域具有較強的競爭優(yōu)勢，能夠在低功耗、快響應等方
面進行固件算法優(yōu)化設計的同時，通過先進封測工藝能力，助力產品的輕薄小巧。
隨著汽車消費升級、新能源汽車的推廣以及相關政策推動，汽車電動化和智能化將成為新趨
勢。隨著智能化程度的不斷加深，汽車正逐步完成由交通工具到移動終端的轉變，同時也給存儲
行業(yè)帶來新的市場機遇。當前，汽車產品中主要是信息娛樂系統(tǒng)、動力系統(tǒng)和高級駕駛輔助（ADAS）
系統(tǒng)中需要使用存儲設備，隨著智能化程度提高，所需的存儲容量也隨之增長。公司 eMMC、UFS、
LPDDR 等產品及車載 SD 卡適用于智能汽車市場。
根據(jù)汽車之家研究院數(shù)據(jù)顯示，在未來隨著智能汽車的普及,關鍵零部件成本將持續(xù)下探，疊
加產業(yè)環(huán)境的成熟和科技的不斷進步；預計到 2025 年，中國 L2 及以上智能汽車銷量破千萬輛，
對應中國智能汽車滲透率達 49.3%，智能汽車市場潛力巨大。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，預計至 2024 年，
全球 ADAS 領域的 NAND Flash 存儲消費將達到 41.5 億 GB，2019 年-2024 年復合增速將達 79.9%。
隨著汽車智能化程度的不斷加深，對存儲芯片及模組的需求不斷增加，給半導體存儲器廠商帶來
新的市場機遇。
此外，由于存儲芯片的性能關乎整車行駛的安全性，車載存儲器在響應速度、抗振動、可靠
性、糾錯機制、Debug 機制、可回溯性以及數(shù)據(jù)存儲的高度穩(wěn)定性等方面相比消費類產品要求更
為嚴苛，單位產品附加值也較消費級產品有明顯提升。在汽車智能化快速發(fā)展的趨勢下，未來車
載存儲器市場容量有望快速擴容。公司于 2018 年獲得 IATF16949:2016 汽車質量管理體系認證，目
前已推出多款面向智能汽車市場的存儲器產品，正在進行積極的市場推廣。
近年來，云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等市場規(guī)模不斷擴大，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長，
數(shù)據(jù)中心及服務器等企業(yè)級應用市場固定投資不斷增加。2022 年 2 月，國家發(fā)改委等部門印發(fā)《關
于印發(fā)促進工業(yè)經濟平穩(wěn)增長的若干政策的通知》實施“東數(shù)西算”工程，通過構建數(shù)據(jù)中心、云
計算、大數(shù)據(jù)一體化的新型算力網(wǎng)絡體系，將東部算力需求有序引導到西部，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心建設
布局，促進東西部協(xié)同聯(lián)動。
一方面通信運營商及互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛自建數(shù)據(jù)中心，同時傳統(tǒng)企業(yè)上云進程加快，兩者共同
帶動服務器數(shù)據(jù)存儲市場規(guī)模快速增長。在數(shù)據(jù)中心作為新型基礎設施加快建設的背景下，服務
器/數(shù)據(jù)存儲的市場規(guī)模將繼續(xù)快速增長，該細分領域的需求將大幅增加。
長期看，在未來增量需求及替代需求驅動下，服務器出貨量仍將長期保持增長態(tài)勢：
“十四五”
規(guī)劃綱要提出打造數(shù)字經濟新優(yōu)勢，新基建政策持續(xù)推進，率先布局智算新基建已經成為數(shù)字經
濟轉型升級的產業(yè)共識，中國各地掀起人工智能計算中心“落地潮”，智算中心所承載的 AI 算力
及存力將是驅動智慧時代發(fā)展的核心動力，為服務器市場帶來巨大的增長空間。
未來，5G 時代云計算將加速普及，邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用將會帶來巨量的數(shù)據(jù)吞吐需
求，井噴的數(shù)據(jù)流量需要更強存儲能力的服務器支持，運營商、云服務廠商將進入大量建設數(shù)據(jù)
中心的階段，服務器需求將持續(xù)增長；由于產品老化、性能升級等原因，服務器更換周期一般為
依據(jù) DIGITIMES Research 數(shù)據(jù)，2025 年全球服務器出貨量將增長至 2,210.7 萬臺，服務器市場未來
數(shù)年的出貨量提升將帶動半導體存儲器市場的繁榮發(fā)展。同時，半導體存儲器，尤其是 NAND Flash
具有特定的壽命限制，在數(shù)據(jù)中心應用中擁有海量的更換需求。公司積極布局服務器存儲市場，
已推出適用于服務器市場的固態(tài)硬盤、RDIMM 內存條等產品。
隨著全球電子信息產業(yè)的迅速發(fā)展和需求的脈沖式爆發(fā)，全球半導體存儲行業(yè)在增長中呈現(xiàn)
出一定的價格波動性。2021 年半導體存儲器行業(yè)供不應求，據(jù) CFM 中國閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2021
年全球存儲市場規(guī)模達 1,620 億美元，其中 DRAM 為 945 億美元，同比增長 40%，NAND Flash 為
業(yè)供需關系惡化，據(jù) CFM 中國閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球半導體存儲市場規(guī)模 1,391.87 億
美元，同比下跌 15%；其中 NAND Flash 市場規(guī)模為 601.26 億美元，同比下跌 11%，DRAM 市場規(guī)
模為 790.61 億美元，同比下跌 17%，產品價格大幅下滑。
存儲器行業(yè)作為半導體行業(yè)中最重要的分支之一，其行業(yè)特征具有上游產能集中、下游需求
多變的特點，上游廠商的競合、技術的快速更迭及下游應用需求的多變等因素導致存儲器行業(yè)具
有一定的波動性。新一代信息技術的發(fā)展與存儲技術的發(fā)展息息相關，存儲晶圓規(guī)格趨同，供應
集中，下游電子產品發(fā)展日新月異，需求多樣、多變，供需之間無法完全匹配，因此存在短期性
的供需失衡，導致階段性和結構性的供給過剩/不足，從而導致存儲器價格的短期波動。從長期來
看，信息技術發(fā)展帶來的數(shù)據(jù)存儲需求不斷增長，整個存儲器市場亦隨之不斷增長。
總體而言，隨著數(shù)據(jù)的不斷產生與存儲，下游應用場景的不斷拓展，疊加短期供需關系的不
斷變化，半導體存儲器行業(yè)呈現(xiàn)出在波動中增長的顯著特點。
目前，國產 DRAM 和 NAND Flash 芯片市場份額較低，發(fā)展前景較大。在中國“互聯(lián)網(wǎng)+”、大
力發(fā)展新一代信息技術和不斷加強先進制造業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略指引下，國內信息化、數(shù)字化、智能化
進程加快，用戶側的視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡等應用和制造側的工業(yè)智能化逐漸普及，
刺激存儲芯片的市場需求快速增長。
角色。此外，5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新一代信息技術在中國大規(guī)模開發(fā)及應用，也催生了我國
對半導體存儲器的強勁需求。近年來，本土的半導體產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)均有較大的技術和產能突破，
依托中國市場廣闊需求，市場份額逐步增長。隨著國內存儲器產業(yè)鏈的逐步發(fā)展和完善，產業(yè)鏈
企業(yè)迎來了廣闊的發(fā)展機遇。
（3）公司取得的科技成果與產業(yè)深度融合的具體情況
公司持續(xù)投入大量的研發(fā)人員和資金，經過多年的發(fā)展積淀，取得了豐碩的科技成果。截至
專利、131 項實用新型專利、74 項外觀設計專利。公司是國內廠商中少數(shù)同時掌握 NAND Flash、
DRAM 存儲器研發(fā)設計與先進封測制造的企業(yè)。
經過多年的行業(yè)深耕，公司已形成了嵌入式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲的完整產品線矩
陣。公司憑借領先的研發(fā)能力、可靠的產品質量和優(yōu)秀的客戶服務水平，積累了優(yōu)質的客戶資源，
產品應用領域包括移動智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動存儲等六大應用領
域，通過優(yōu)質產品服務下游大容量存儲應用場景。
（1）布局研發(fā)封測一體化的經營模式
佰維存儲主要從事半導體存儲器的研發(fā)設計、封裝測試和生產銷售，掌握存儲介質特性研究、
固件算法開發(fā)、存儲芯片封裝、測試方案研發(fā)等核心技術，并積極布局芯片 IC 設計、先進封測、
芯片測試設備研發(fā)等領域，從而構筑了研發(fā)封測一體化的經營模式。
（2）市場份額位居國內存儲廠商前列
近年來，公司產品在國產廠商中市場份額位居前列，并已進入各細分領域國內外一線客戶供
應體系，營收保持高速增長。公司是國內少數(shù)具備 ePOP 量產能力的存儲廠商，相關產品已進入
Facebook、Google、小天才等知名品牌的智能穿戴設備供應體系。憑借長期的技術研發(fā)積累和智
能化的生產測試體系，公司 SSD 產品通過了 PC 行業(yè)龍頭客戶嚴苛的預裝導入測試，在性能、可
靠性、兼容性等方面達到國際一流標準，目前已經進入聯(lián)想、宏碁、同方、富士康等國內外知名
PC 廠商供應鏈。
（3）研發(fā)持續(xù)投入，實力行業(yè)領先
公司自設立以來，堅持技術立業(yè)，在半導體存儲技術和封測制造領域不斷投入大量的研發(fā)資
源，構建了公司競爭優(yōu)勢與發(fā)展根基。公司 2022 年研發(fā)投入為 12,639.67 萬元，較 2021 年增長
了 18.27%。公司經過多年的發(fā)展積淀，取得了豐碩的科技成果。截至 2022 年 12 月 31 日，公司
共取得 242 項境內外專利和 4 項軟件著作權，其中專利包括 37 項發(fā)明專利、131 項實用新型專利、
并保持國家高新技術企業(yè)的稱號。公司在存儲介質特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封裝、測
試方案研發(fā)等領域具有領先優(yōu)勢。
公司產品得到行業(yè)的廣泛認可。2022 年，公司 C1008 2.5" SATA SSD 獲得 OFweek2022 年度中
國汽車行業(yè)優(yōu)秀汽車電子創(chuàng)新產品獎、EPS200 獲得芯師爺·硬核中國芯“2022 年度最佳存儲芯片
獎”、HP FX900 Pro 固態(tài)硬盤獲得 TweakTown 2022 編輯選擇獎和 IOPS 冠軍、Predator GM7000 固
態(tài)硬盤獲得 PCMag 2022 年度“最佳 PS5 SSD”第一名等眾多獎項和榮譽。
（4）自建封測產能，具備生產工藝優(yōu)勢
在大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的加持下，全球電子信息產業(yè)進入裂變式發(fā)展階段，5G 通訊終
端、高性能計算(HPC)、智能汽車、數(shù)據(jù)中心等新興應用正在加速半導體產業(yè)供應鏈的變革與發(fā)展，
對封測工藝及產品性能提出了更高的要求。
公司自建封測制造產能，而同行業(yè)公司主要依托委外代工。自建封測產能與自主研發(fā)能力的
結合給公司帶來了重要的競爭優(yōu)勢。首先，在產品開發(fā)效率和定制化方面，研發(fā)封測一體化布局
可更好的支撐到公司在智能穿戴、智能車載與工業(yè)級應用等細分市場推出更具競爭力的產品；其
次，自建封測能力實現(xiàn)了公司產品全生命周期的質量管理、追溯和改進，深化了公司與一線客戶
的合作基礎，并確保了重要客戶的產品交付質量；此外，自建封測也延伸了公司的價值鏈條。
及管理能力。
（1）NAND Flash 向高存儲密度方向持續(xù)發(fā)展
在晶圓技術方面，隨著 3D NAND 技術的發(fā)展，在全球已量產的 NAND Flash 中，領先的堆疊
層數(shù)從 128 層攀升至 176 層，2022 年底 NAND Flash 逐步邁入 200 層以上。存儲原廠通過增加單
位晶圓面積上產出的存儲位元，降低 NAND Flash 的單位成本，提高市場競爭力。不僅如此，NAND
Flash 結構的改良以及存儲密度的提升，使得 NAND Flash 的 I/O 性能和功耗不斷得到優(yōu)化。
在應用技術方面，存儲器接口協(xié)議是存儲設備與計算核心之間進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ馈ｋS著技
術的不斷演進，SSD 接口協(xié)議從 SATA 發(fā)展到 PCIe/NVMe，目前主流為 PCIe 3.0/4.0，并向 PCIe 5.0
推進;嵌入式存儲接口協(xié)議從 eMMC 發(fā)展到 UFS，目前主流為 UFS 2.2/UFS 3.1，并向 UFS 4.0 推進。
不同的應用場景對存儲器的需求差異較大，因此對存儲器的特性提出了更高的要求。移動設備需
要存儲器具有低功耗、高可靠性和足夠的存儲容量，同時還需要小巧的封裝。而高性能計算領域
則需要存儲器具有更高的讀寫速度、更低的延遲、更好的 QOS 和更大的存儲容量，并且還需要具
備更強的數(shù)據(jù)保護能力。公司在目前的產品中積極采用各大原廠最新制程的 NAND Flash，在嵌入
式存儲產品方面，覆蓋從 eMMC 到 UFS 3.1 全系列；在 SSD 產品方面，覆蓋從 SATA 到 PCIe 4.0 全
系列。
（2）DRAM 邁入 1β 制程節(jié)點，DDR5/LPDDR5 正在大規(guī)模商用的前期
在 DRAM 技術方面，三星、SK 海力士和美光已實現(xiàn) 1anm DRAM 的量產，2022 年四季度，全
球領先的 DRAM 工藝邁入 1β制程，芯片容量和速度進一步提升。
DRAM 技術發(fā)展
隨著人工智能、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等領域快速發(fā)展，新型處理器內核數(shù)量越來越多，為了與高
性能的處理器相匹配，英特爾和 AMD 新一代處理器平臺都將支持 DDR5，從而令 DDR5 的滲透率
加速提升；主流 SoC 廠商新一代產品都將支持 LPDDR5，也加速了 LPDDR5 滲透率的提升。2022
年，公司發(fā)布了 DDR5 內存模組和 LPDDR5 嵌入式存儲，正在進行市場推廣階段。
（3）智能可穿戴設備對存儲的小尺寸、低功耗、高性能提出更高要求
據(jù)市場研究機構 Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2022 年全球智能手表出貨量同比增長 12%。存儲器
作為可穿戴設備的重要組成部分，很大程度上影響可穿戴設備的性能、尺寸和續(xù)航能力。伴隨智
能可穿戴設備行業(yè)在各垂直領域應用程度的加深，智能可穿戴設備行業(yè)將持續(xù)擴容，可穿戴設備
對存儲器的需求也將顯著增長；同時，可穿戴設備因為功耗、空間的限制，對存儲器的能耗比、
尺寸、穩(wěn)定性等多個特性指標的要求也將不斷提高。公司深度布局智能穿戴市場，開發(fā)了 eMMC、
UFS、eMCP、ePOP、LPDDR 等滿足智能手表、AR/VR 等智能可穿戴設備的存儲解決方案。2022 年，
公司與全球知名的可穿戴客戶保持密切合作，持續(xù)開發(fā)領先的穿戴存儲解決方案。
（4）汽車智能化的發(fā)展推動汽車存儲應用加速落地
在汽車智能化的發(fā)展路徑中，數(shù)據(jù)處理不僅需要轉向云端服務器，而且智能汽車的本地存儲
需求也將顯著增長。
汽車存儲從基本的動力系統(tǒng)、傳感器、連接器采用的 SRAM、Nor Flash、
EEPROM、
MCP、小容量 eMMC 和 LPDDR4，轉向以 ADAS、
信息娛樂系統(tǒng)驅動的大容量 eMMC、UFS、LPDDR4X/5、
BGA SSD 等存儲產品。公司已推出適用于智能汽車的 eMMC、UFS、BGA SSD 和 LPDDR 等產品，正
在進行市場推廣階段。
（5）企業(yè)級存儲市場迎來發(fā)展契機
受益于 AI 和云技術的發(fā)展，服務器市場的存儲需求長期向好，根據(jù) CFM 閃存市場分析，到
市場。
存儲廠商在企業(yè)級存儲市場紛紛擴大布局，存儲原廠率先推出高性能的 DDR5 模塊、CXL
DRAM、HBM 高帶寬存儲以及 eTLC NAND、eSSD 等存儲產品，不斷擴充 U.2、U.3、E1.S、E1.L、HHHL
等規(guī)格的企業(yè)級 SSD。與此同時，國產廠商基于自研主控芯片、固件等技術，依托國產化的大趨
勢和本地化的服務能力，在國內企業(yè)級 SSD 市場逐漸嶄露鋒芒。公司已推出適用于數(shù)據(jù)中心應用
的固態(tài)硬盤和 RDIMM 產品，正在進行市場推廣階段。
（6）AI 云計算的高速發(fā)展，對高性能存儲器帶來新需求
隨著 AI 和云計算的發(fā)展，單個處理器芯片上集成越來越多的內核，以滿足服務器數(shù)據(jù)密集負
載的需求，而 DRAM 的帶寬和容量也需要與處理器的高性能相適應。為了滿足人工智能等場景對
高寬帶、高容量內存和極致算力的需求，DDR5、CXL DRAM、SCM 以及 HBM 等高帶寬存儲技術在
高算力領域被寄予厚望。公司目前正在研發(fā) DDR5 RDIMM，暫未涉足其他高帶寬存儲技術領域。
公司將保持對新技術、新應用的持續(xù)關注。
（7）QLC NAND 有望在移動端應用取得突破性進展
每個 Cell 單位存儲 1 bit 的 SLC 和每單位存儲 2 bit 的 MLC NAND，P/E 壽命更長和可靠性更強，
不過單位成本高昂，更適用于工業(yè)級存儲領域。在 PC、Mobile 等消費終端和多數(shù)企業(yè)級應用，容
量密度和性價比更高的 TLC NAND 占據(jù)著主要市場。每個單位存儲 4 個 bit 的 QLC NAND，存儲密
度相對于 TLC NAND 再提高 33%。隨著 QLC 性能不斷優(yōu)化，在主控不斷進步的糾錯技術下，QLC
存儲憑借成本優(yōu)勢，將在成本至上的消費領域逐步擴大應用，甚至在移動端應用取得突破性進展。
公司正在積極開發(fā)布局基于 QLC 的存儲解決方案。
（8）先進封裝服務存算一體
目前，封裝技術正不斷從傳統(tǒng)向先進封裝演進，先進封裝技術提升芯片整體性能成為集成電
路行業(yè)技術發(fā)展趨勢。據(jù) Omdia 預測，隨著 5G、AI、HPC 等新興應用領域需求滲透，2035 年全
球 Chiplet 市場規(guī)模有望達到 570 億美元，2018 年-2035 年 CAGR 為 30.16%。先進封測技術可服務
于存儲和計算的整合，在解決高算力芯片的“存儲墻”、“功耗墻”方面發(fā)揮重要作用。公司將積
極探索先進封測與存儲技術的整合和協(xié)同。
單位：萬元 幣種：人民幣
本年比上年
增減(%)
總資產 441,119.984725 280,954.570518 57.01 176,614.85
歸屬于上市公司股
東的凈資產
營業(yè)收入 298,569.27119 260,904.567496 14.44 164,171.18
歸屬于上市公司股
東的凈利潤
歸屬于上市公司股
東的扣除非經常性 6,578.26 11,825.4 -44.37 1,721.05
損益的凈利潤
經營活動產生的現(xiàn)
-69,259.121948 -48,820.457174 不適用 -27,206.27
金流量凈額
加權平均凈資產收
益率（%）
基本每股收益（元
／股）
稀釋每股收益（元
／股）
研發(fā)投入占營業(yè)收
入的比例（%）
單位：萬元 幣種：人民幣
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
項目
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
營業(yè)收入 70,224.45 68,203.32 80,106.58 80,034.92
歸屬于上市公司股東的凈利潤 1,559.46 3,393.19 2,651.65 -482.43
歸屬于上市公司股東的扣除非
經常性損益后的凈利潤
經營活動產生的現(xiàn)金流量凈額 -15,809.33 -6,922.32 -4,718.89 -41,808.58
季度數(shù)據(jù)與已披露定期報告數(shù)據(jù)差異說明
□適用 √不適用
名股東情況
單位: 股
截至報告期末普通股股東總數(shù)(戶) 18,054
年度報告披露日前上一月末的普通股股東總 13,263
數(shù)(戶)
截至報告期末表決權恢復的優(yōu)先股股東總數(shù) 0
（戶）
年度報告披露日前上一月末表決權恢復的優(yōu) 0
先股股東總數(shù)（戶）
截至報告期末持有特別表決權股份的股東總 0
數(shù)（戶）
年度報告披露日前上一月末持有特別表決權 0
股份的股東總數(shù)（戶）
前十名股東持股情況
質押、標記或
包含轉融 凍結情況
報告 持有有限
股東名稱 期末持股 比例 通借出股 股東
期內 售條件股
（全稱） 數(shù)量 (%) 份的限售 性質
增減 份數(shù)量 股份
股份數(shù)量 數(shù)量
狀態(tài)
境 內
孫成思 0 80,936,000 18.81 80,936,000 80,936,000 無 0 自 然
人
華芯投資 管理有
限責任公 司－國
國 有
家集成電 路產業(yè) 0 36,885,396 8.57 36,885,396 36,885,396 無 0
法人
投資基金 二期股
份有限公司
深圳市達 晨財智
創(chuàng)業(yè)投資 管理有
限公司－ 深圳市
達晨創(chuàng)通 股權投
資企業(yè)（ 有限合
伙）
上海超越 摩爾私
募基金管 理有限
公司－上 海超越
摩爾股權 投資基
金合伙企業(yè)（有限
合伙）
中船感知 海洋產
業(yè)基金管 理有限
公司－中 船感知 0 13,114,756 3.05 13,114,756 13,114,756 無 0 其他
海洋無錫 產業(yè)基
金（有限合伙）
中國互聯(lián) 網(wǎng)投資
基金管理 有限公
司－中國 互聯(lián)網(wǎng) 0 13,114,754 3.05 13,114,754 13,114,754 無 0 其他
投資基金（有限合
伙）
境 內
吳奕盛 0 12,720,000 2.96 12,720,000 12,720,000 無 0 自 然
人
境 內
周正賢 0 12,480,000 2.90 12,480,000 12,480,000 無 0 自 然
人
中國科技 產業(yè)投
資管理有 限公司
－深圳市 國科瑞
華三期股 權投資
基金合伙企業(yè)（有
限合伙）
上海成芯 成毅企
業(yè)管理中心（有限 0 10,000,000 2.32 10,000,000 10,000,000 無 0 其他
合伙）
上述股東關聯(lián)關系或一致行動的說明 不適用
表決權恢復的優(yōu)先股股東及持股數(shù)量的說 不適用
明
存托憑證持有人情況
□適用 √不適用
截至報告期末表決權數(shù)量前十名股東情況表
□適用 √不適用
√適用 □不適用
√適用 □不適用
□適用 √不適用
□適用 √不適用
第三節(jié) 重要事項
公司經營情況有重大影響和預計未來會有重大影響的事項。
公司 2022 年度實現(xiàn)營業(yè)收入 298,569.27 萬元，較上年增長 14.44%；歸屬于上市公司股東的
凈利潤 7,121.87 萬元，較上年同期下降 38.91%，歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利
潤 6,578.26 萬元，較上年同期下降 44.37%。
止上市情形的原因。
□適用 √不適用
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